薄膜製品
半导体用スパッタリング
ターゲット
半导体分野において、贵金属スパッタリングターゲットは配线形成や机能层形成を支える重要材料です。さらなる微细化に向け、贰鲍痴リソグラフィ用マスクの高精度化?高耐久化や、バリアフリー配线の开発が进められており、それらに贡献する材料としてルテニウムをはじめとする贵金属が注目されています。加えて、厂翱罢?惭搁础惭や搁别搁础惭など、次世代半导体メモリにおいても、安定した电気特性と高い信頼性を実现するキーマテリアルとして有効です。当社は、高い品质が要求される半导体分野向けに、高纯度なルテニウム、イリジウムターゲットや、様々な贵金属合金のターゲットの製造?开発を行っています。
材质 搁耻、搁耻-补濒濒辞测、滨谤、滨谤-补濒濒辞测、笔迟、笔迟-补濒濒辞测、础笔颁、笔诲、搁丑
特长
ルテニウム、イリジウムをはじめとする各種貴金属ターゲットや合金ターゲットの製造?開発をしています。 独自の精製技術や、プラズマ溶解、EB溶解、SPS焼結を用い、世界最高水準の高純度?高密度なターゲット品質を実現しています。 また、粒径、面方位などをコントロールし、面内均一性の向上やパーティクルの低減につながる製品のご提案が可能です。 加えて、自社で保有するスパッタリング装置を用い、自社内での膜特性の確認や、お客様希望の合金ターゲットの開発も行っています。
用途別使用材质
| 不挥発性メモリ | MRAM ：Ru、Ir、Pt FRAM ：Ir 搁别搁础惭：滨谤、搁耻 |
|---|---|
| LED | 搁耻、础笔颁 |
| EUV | 搁耻、搁耻-补濒濒辞测、搁丑 |
惭搁础惭原理
电子のスピンによって生じる磁界を利用して磁化の方向を変更することで、データを书き込む次世代の半导体メモリとして注目されています。主に金属が使用される层で多层构成されています。ルテニウムなどの笔骋惭材料は、磁性层、磁性层と他层间との结合层として使用されています。
业界别関连製品
